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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應用于過電壓保護、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護電氣電子設備因受雷電閃擊及其他瞬態電磁干擾造成傳導過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統或設備運行中必然存在老化劣化現象,

故必須對其進行定期檢測,以防止老化劣化產品仍工作在系統或設備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數都存在拐點效應,即只有當MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現顯著變化;而在這個拐點之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標準的要求[8],這就給檢測結果帶來不確定性。某個產品自身已經老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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限制電壓Up  

限制電壓(V)指壓敏電阻器兩端所能承受的電壓值。限制電壓Up是殘壓UR的一種特殊形式，也是考核特定規格的壓敏電阻抑制瞬態過電壓能力的特征指標。限制電壓Up實際上是生產廠家向用戶承諾的每個規格產品的保護電壓水平。

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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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